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圖片信息
FQU2N60CTU圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：FQU2N60CTU
  • 原始制造廠商：Fairchild，仙童，飛兆
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  • 產品應用分類：單端場效應管
  • 點擊此處下載FQU2N60CTU的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產品型號：FQU2N60CTU
  • 制造廠家名稱：Fairchild 仙童半導體（已被ON安森美收購）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  • 系列：QFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.7 歐姆 @ 950mA，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：235pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安裝類型：通孔
  • 產品封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
  • 供應商器件封裝：I-Pak
  • FQU2N60CTU均從Fairchild代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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