深圳市南皇電子有限公司長期提供NGTD21T65F2WP（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：NGTD21T65F2WP制造商：ON Semiconductor描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：-電流-集電極脈沖(Icm)：200A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A功率-最大值：-開關能量：-輸入類型：標準柵極電荷：-25°C時Td（開/關）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：模具NGTD21T65F2WP均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
